应基础物理研究中心邀请，10月22日上午，法国国家科研中心Pierre Ruterana教授来中心做学术交流，并作题为《Research of III-nitride semiconductors in CIMAP Laboratory : history, current status and future》的学术报告。本次学术报告同时也是本年度第五期特邀报告。力物学院主要负责同志对Ruterana教授的到来表示热烈欢迎，基础物理研究中心成员及学院部分教师和研究生参加了报告会。
（摄影 韩荣蓉）
报告会上，Ruterana教授首先回顾了III-N第三主族氮化物这类半导体材料的发展历程和重要里程碑事件，随后，介绍了当前氮化物半导体材料生长和器件研制中的关键问题。他利用高分辨电子显微镜表征技术，详细揭示了材料缺陷的特征，以及这些缺陷与外延生长技术之间的紧密关系，这不仅有助于深入地理解氮化物半导体的微观结构，也为优化材料生长工艺和提高器件性能提供了重要指导。他指出，氮化物半导体在无磷污染的白光照明、新能源转换以及微波通讯等市场领域具有巨大的应用潜力；随着技术的不断进步和成本的逐步降低，这些材料将实现大规模应用，从而推动相关产业的快速发展。最后，Ruterana教授同与会师生进行了深入探讨交流，并对现场提出的问题做出了详细的解答。
（摄影 韩荣蓉）
报告会后，在分析测试中心负责领导和老师陪同下，Ruterana教授参观了实验室及设备，并对实验室建设和仪器设备提出宝贵意见。
RUTERANA教授的来访，不仅为基础物理中心、力物学院科研人员提供了学术交流机会，也有利于促进双方在氮化物半导体领域的深入研究与合作。
Pierre RUTERANA，1987年毕业于法国卡昂大学，获材料科学博士学位。法国国家科研中心CIMAP实验室主任研究员(正教授)，PM2E科研团队负责人，高分辨透射电子显微镜国际知名专家。长期从事氮化物半导体（AlN, GaN and InN）和氧化锌（ZnO）材料中结构缺陷的电镜表征工作，系统揭示了异质结材料生长、器件制备和失效过程中缺陷的形成、原子结构、迁移和复杂相互作用的规律，对相关领域的科研进展和工业化应用等方面做出了重大贡献。主持欧盟重点研发计划以及4项法国国家重点项目(ANR)等。发表论文360余篇，引用率5900余次，国际会议邀请报告110余次，专业著作12余本。培养20名博士和12名博后。他是E-MRS国际会议主席团成员以及欧洲电子显微镜学会和法国电子显微镜学会会员以及国际顶级刊物“Energy and Environmental Materials”（Wiley-ZZU Journal, IF:15.220）的副主编。
